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Safran Electronics & Defense développe des électroniques à haut niveau de criticité. Ces électroniques subissent des perturbations, d’origines extrinsèques (rayonnement, perturbations sur l’alimentation, sur les entrées etc …) et intrinsèques (température, vieillissement, montage, …).
L’effet de ces perturbations est mal connu et les solutions mises en œuvre pour les gérer sont couteuses, en développement et en ressources utilisées.
Le laboratoire ETIS UMR CNRS 8051 et Safran Electronics & Defense mettent en place cette thèse pour améliorer notre maitrise de ces phénomènes.